AI需求重塑存储芯片市场：HBM产能挤占致消费电子价格飙升
受人工智能数据中心对高带宽内存（HBM）的强劲需求驱动，全球存储芯片市场正经历结构性转变。SK海力士、三星和美光等厂商将大量先进产能转向HBM，导致通用型DRAM和NAND供应短缺，智能手机与笔记本电脑成本大幅上升，苹果、联想和戴尔已相继上调产品价格。
人工智能对高带宽内存（HBM）的庞大需求正在引发全球存储芯片市场的结构性转变，并直接推高了消费电子产品价格。目前，全球约70%的先进存储产能被AI数据中心消耗，生产1GB HBM所需的晶圆产能相当于生产约3GB通用内存。
这一产能转移导致面向手机和电脑的DRAM及NAND闪存出现严重供应短缺。今年上半年，通用内存合约价几乎翻倍，闪存价格上涨超过50%。投资银行估计，今年各类存储芯片的供需缺口已超过4%，创下十年新高。苹果公司将当前的供需紧张局面形容为“百年一遇的洪水”。
零部件成本的急剧攀升已传导至终端市场。存储芯片目前在智能手机总物料成本中的占比已超过30%，此前这一比例仅为10%至15%，部分旗舰机型甚至接近50%。单颗12GB手机内存芯片的采购价已从200元上涨至近600元，1TB闪存芯片的价格也从200多元涨至600元。受此影响，苹果、联想和戴尔均已上调其产品价格。
在利润丰厚且需求刚性的AI市场吸引下，存储巨头正大举扩产。SK海力士通过发行美国存托凭证（ADS）筹集了265亿美元，创下外国公司在美最大规模IPO纪录；三星电子的单季营业利润则增长了18倍。三星、SK海力士和美光2026年的合计资本支出预计超过500亿美元，其中仅三星的投资就超过110万亿韩元。然而，这些新增产能大部分仍被指定用于HBM生产。
全球HBM市场规模预计到2026年将突破600亿美元。SK海力士和美光已宣布其2026年HBM产能全部售罄，客户甚至已提前锁定2027年和2028年的供应。据DigiTimes报道，下一代HBM4在2026年下半年的单价约为每GB 2美元，到2027年将升至每GB 4至5美元或更高。摩根大通预测，2027年全球HBM平均售价将同比上涨54%，2028年将进一步上涨25%。
由于制造商的新增投资高度集中于HBM领域，通用型存储芯片的产能受限状况短期内难以缓解，消费电子产品的内存成本或将长期维持在高位。